IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies


IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+219.22 грн
3000+209.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

Інші пропозиції IPB010N06NATMA1 за ціною від 226.72 грн до 580.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+264.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+267.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+307.45 грн
47+305.76 грн
100+293.21 грн
250+269.98 грн
500+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.15 грн
10+307.45 грн
25+305.76 грн
100+293.21 грн
250+269.98 грн
500+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon TIPB010n06n_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+368.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.33 грн
10+366.91 грн
50+291.48 грн
100+250.77 грн
500+226.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.57 грн
10+409.35 грн
100+302.62 грн
500+280.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.97 грн
10+411.22 грн
50+403.58 грн
100+293.28 грн
500+259.46 грн
1000+246.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+579.96 грн
35+411.93 грн
50+404.28 грн
100+293.78 грн
500+259.90 грн
1000+246.94 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+580.56 грн
35+412.18 грн
100+304.71 грн
500+282.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB010N06N_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+264.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+267.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+307.45 грн
47+305.76 грн
100+293.21 грн
250+269.98 грн
500+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+309.15 грн
10+307.45 грн
25+305.76 грн
100+293.21 грн
250+269.98 грн
500+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+368.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc1601355341f17a485f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.33 грн
10+366.91 грн
50+291.48 грн
100+250.77 грн
500+226.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+576.57 грн
10+409.35 грн
100+302.62 грн
500+280.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+578.97 грн
10+411.22 грн
50+403.58 грн
100+293.28 грн
500+259.46 грн
1000+246.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+579.96 грн
35+411.93 грн
50+404.28 грн
100+293.78 грн
500+259.90 грн
1000+246.94 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 9212788930604164ipb010n06n_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+580.56 грн
35+412.18 грн
100+304.71 грн
500+282.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 Infineon_IPB010N06N_DS_v02_04_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.