IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 219.22 грн |
| 3000+ | 209.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.
Інші пропозиції IPB010N06NATMA1 за ціною від 226.72 грн до 580.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V |
на замовлення 18024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPB010N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 264.48 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 267.83 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 307.45 грн |
| 47+ | 305.76 грн |
| 100+ | 293.21 грн |
| 250+ | 269.98 грн |
| 500+ | 257.73 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 309.15 грн |
| 10+ | 307.45 грн |
| 25+ | 305.76 грн |
| 100+ | 293.21 грн |
| 250+ | 269.98 грн |
| 500+ | 257.73 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 362.21 грн |
| 103+ | 344.57 грн |
| 500+ | 325.75 грн |
| 1000+ | 297.11 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 362.21 грн |
| 103+ | 344.57 грн |
| 500+ | 325.75 грн |
| 1000+ | 297.11 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 368.05 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
на замовлення 18024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 564.33 грн |
| 10+ | 366.91 грн |
| 50+ | 291.48 грн |
| 100+ | 250.77 грн |
| 500+ | 226.72 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 576.57 грн |
| 10+ | 409.35 грн |
| 100+ | 302.62 грн |
| 500+ | 280.13 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 578.97 грн |
| 10+ | 411.22 грн |
| 50+ | 403.58 грн |
| 100+ | 293.28 грн |
| 500+ | 259.46 грн |
| 1000+ | 246.51 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 579.96 грн |
| 35+ | 411.93 грн |
| 50+ | 404.28 грн |
| 100+ | 293.78 грн |
| 500+ | 259.90 грн |
| 1000+ | 246.94 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 580.56 грн |
| 35+ | 412.18 грн |
| 100+ | 304.71 грн |
| 500+ | 282.06 грн |
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





