Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+124.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 118.51 грн до 284.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+195.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+198.01 грн
10+183.70 грн
25+182.87 грн
100+159.19 грн
250+145.92 грн
500+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+213.25 грн
62+196.94 грн
100+171.44 грн
250+157.14 грн
500+127.63 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.40 грн
10+188.83 грн
100+150.18 грн
500+118.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+262.70 грн
50+255.60 грн
500+253.58 грн
1000+221.04 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB011N04L_DS_v01_03_en-1731666.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.27 грн
10+207.62 грн
25+178.34 грн
100+150.45 грн
1000+119.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.