Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 90.83 грн до 282.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB011N04L_DS_v01_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.54 грн
10+154.45 грн
100+110.24 грн
500+102.48 грн
1000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+199.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+217.88 грн
62+201.22 грн
100+175.16 грн
250+160.56 грн
500+130.40 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.45 грн
10+216.57 грн
25+215.59 грн
100+187.68 грн
250+172.03 грн
500+139.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+268.41 грн
50+261.16 грн
500+259.09 грн
1000+225.85 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.17 грн
10+178.31 грн
100+125.11 грн
500+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.