IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 86.86 грн до 305.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 136.13 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 137.84 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 148.56 грн |
| 10000+ | 136.41 грн |
| 15000+ | 127.59 грн |
| 20000+ | 116.66 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 152.04 грн |
| 500+ | 143.79 грн |
| 1000+ | 136.72 грн |
| 10000+ | 123.88 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 152.04 грн |
| 500+ | 143.79 грн |
| 1000+ | 136.72 грн |
| 10000+ | 123.88 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 170.85 грн |
| 10+ | 144.74 грн |
| 25+ | 143.89 грн |
| 100+ | 115.56 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 170.85 грн |
| 98+ | 144.74 грн |
| 99+ | 143.89 грн |
| 119+ | 115.56 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 226.65 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 257.22 грн |
| 10+ | 189.85 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.82 грн |
| 10+ | 162.67 грн |
| 100+ | 113.53 грн |
| 500+ | 86.86 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 259.00 грн |
| 74+ | 191.17 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 305.26 грн |
| 50+ | 297.01 грн |
| 500+ | 294.66 грн |
| 1000+ | 256.86 грн |
| IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





