Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 88.36 грн до 323.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.89 грн
10000+136.71 грн
15000+127.88 грн
20000+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.23 грн
10+145.06 грн
25+144.21 грн
100+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.23 грн
98+145.06 грн
99+144.21 грн
119+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB011N04L_DS_v01_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+164.34 грн
100+105.62 грн
500+92.51 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.80 грн
10+190.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.57 грн
74+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.08 грн
10+204.47 грн
100+143.46 грн
500+110.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+136.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+148.89 грн
10000+136.71 грн
15000+127.88 грн
20000+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
10000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.23 грн
10+145.06 грн
25+144.21 грн
100+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+171.23 грн
98+145.06 грн
99+144.21 грн
119+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 Infineon_IPB011N04L_DS_v01_03_en.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.62 грн
10+164.34 грн
100+105.62 грн
500+92.51 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+257.80 грн
10+190.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+259.57 грн
74+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c451f4e20825
IPB011N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.08 грн
10+204.47 грн
100+143.46 грн
500+110.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.