IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipb011n04l-g-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IPB011N04LGATMA1 за ціною від 85.77 грн до 316.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.50 грн
3000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.27 грн
3000+118.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.51 грн
10000+157.48 грн
15000+147.30 грн
20000+134.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.94 грн
10+149.89 грн
25+149.01 грн
100+119.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+176.94 грн
98+149.89 грн
99+149.01 грн
119+119.68 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+191.64 грн
500+172.11 грн
1000+158.68 грн
10000+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+191.64 грн
500+172.11 грн
1000+158.68 грн
10000+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.39 грн
10+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb011n04l-g-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.20 грн
10+168.72 грн
50+130.16 грн
100+110.50 грн
500+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+268.23 грн
74+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb011n04l_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+268.59 грн
10+142.76 грн
100+109.84 грн
500+91.79 грн
1000+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.47 грн
10+222.00 грн
50+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+315.02 грн
66+222.38 грн
76+195.03 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+316.14 грн
50+307.60 грн
500+305.16 грн
1000+266.01 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+128.50 грн
3000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+130.27 грн
3000+118.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+171.51 грн
10000+157.48 грн
15000+147.30 грн
20000+134.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.94 грн
10+149.89 грн
25+149.01 грн
100+119.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+176.94 грн
98+149.89 грн
99+149.01 грн
119+119.68 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+191.64 грн
500+172.11 грн
1000+158.68 грн
10000+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+191.64 грн
500+172.11 грн
1000+158.68 грн
10000+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+234.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+266.39 грн
10+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 infineon-ipb011n04l-g-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.20 грн
10+168.72 грн
50+130.16 грн
100+110.50 грн
500+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+268.23 грн
74+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 infineon_ipb011n04l_g_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.59 грн
10+142.76 грн
100+109.84 грн
500+91.79 грн
1000+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.47 грн
10+222.00 грн
50+194.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+315.02 грн
66+222.38 грн
76+195.03 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 ipb011n04l_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+316.14 грн
50+307.60 грн
500+305.16 грн
1000+266.01 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.