Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB011N04NGATMA1
IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies

ipb011n04n_rev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+143.57 грн
2000+136.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB011N04NGATMA1 за ціною від 136.75 грн до 400.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.78 грн
2000+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies ipb011n04n_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.40 грн
50+283.32 грн
60+237.66 грн
100+216.76 грн
200+199.65 грн
500+173.61 грн
1000+163.57 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 ipb011n04n_rev1.0.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+143.78 грн
2000+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 ipb011n04n_rev1.0.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 ipb011n04n_rev1.0.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 ipb011n04n_rev1.0.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+164.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 ipb011n04n_rev1.0.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+400.40 грн
50+283.32 грн
60+237.66 грн
100+216.76 грн
200+199.65 грн
500+173.61 грн
1000+163.57 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.