IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 84 грн |
| 10+ | 80.37 грн |
| 25+ | 79.89 грн |
| 100+ | 72.78 грн |
| 250+ | 65.76 грн |
| 500+ | 55.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 197A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB012N04NF2SATMA1 за ціною від 59.51 грн до 227.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB012N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |