IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	115.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPB013N06NF2SATMA1 за ціною від 127.27 грн до 357.91 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IPB013N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V	на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 2+ 313.55 грн 10+ 167.06 грн 100+ 143.91 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IPB013N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна 1+ 357.91 грн 10+ 195.43 грн 25+ 169.21 грн 100+ 133.16 грн 500+ 127.27 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IPB013N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.