IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.10 грн |
| 10+ | 222.04 грн |
| 100+ | 157.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 203nC, On-state resistance: 1.3mΩ, Drain-source voltage: 60V, Power dissipation: 300W, Drain current: 198A, Case: D2PAK; TO263.
Інші пропозиції IPB013N06NF2SATMA1 за ціною від 121.23 грн до 351.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.94 грн |
| 10+ | 200.21 грн |
| 100+ | 131.10 грн |
| 500+ | 126.87 грн |
| 800+ | 121.23 грн |