IPB013N06NF2SATMA1

IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipb013n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

Інші пропозиції IPB013N06NF2SATMA1 за ціною від 129.05 грн до 362.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.92 грн
10+169.39 грн
100+145.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB013N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083339.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.90 грн
10+198.16 грн
25+171.56 грн
100+135.01 грн
500+129.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.