IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 99.65 грн |
| 10+ | 98.09 грн |
| 25+ | 96.53 грн |
| 100+ | 91.57 грн |
| 250+ | 83.40 грн |
| 500+ | 78.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.
Інші пропозиції IPB013N06NF2SATMA1 за ціною від 78.73 грн до 460.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 777 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB013N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPB013N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 99.65 грн |
| 150+ | 98.09 грн |
| 152+ | 96.53 грн |
| 155+ | 91.57 грн |
| 250+ | 83.40 грн |
| 500+ | 78.73 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 125.07 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 125.18 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 267.32 грн |
| 500+ | 252.67 грн |
| 1000+ | 239.24 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 267.32 грн |
| 500+ | 252.67 грн |
| 1000+ | 239.24 грн |
| 10000+ | 216.57 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 307.59 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 430.08 грн |
| 10+ | 276.99 грн |
| 50+ | 218.02 грн |
| 100+ | 186.78 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 442.56 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 442.56 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 460.82 грн |
| 10+ | 226.69 грн |
| 100+ | 165.52 грн |
| 500+ | 164.01 грн |
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB013N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)