IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.43 грн |
| 10+ | 137.14 грн |
| 100+ | 94.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263, Gate charge: 159nC, On-state resistance: 1.03mΩ, Power dissipation: 188W, Drain-source voltage: 40V, Case: D2PAK; TO263, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції IPB014N04NF2SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB014N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IPB014N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB014N04NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263 Gate charge: 159nC On-state resistance: 1.03mΩ Power dissipation: 188W Drain-source voltage: 40V Case: D2PAK; TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB014N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB014N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB014N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.