IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 50.91 грн |
| 246+ | 50.76 грн |
| 256+ | 48.61 грн |
| 261+ | 46.06 грн |
| 500+ | 38.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB014N04NF2SATMA1 за ціною від 39.70 грн до 197.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 40V; 188W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 188W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.03mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of channel: enhancement Technology: SiC Electrical mounting: SMT |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB014N04NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |