IPB014N04NF2SATMA1

IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.58 грн
10+ 95.59 грн
100+ 76.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

Інші пропозиції IPB014N04NF2SATMA1 за ціною від 50.14 грн до 129.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB014N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083395.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.75 грн
10+ 107.22 грн
100+ 73.92 грн
250+ 67.93 грн
500+ 61.67 грн
800+ 52.74 грн
2400+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB014N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb014n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
товар відсутній