Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB014N06NATMA1
IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies

ipb014n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB014N06NATMA1 за ціною від 90.72 грн до 355.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB014N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135534e951e4873 Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+154.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+216.53 грн
200+166.66 грн
500+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.39 грн
8+120.79 грн
21+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB014N06N_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135534e951e4873 Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.35 грн
10+222.01 грн
100+157.97 грн
500+122.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.49 грн
10+243.70 грн
50+216.53 грн
200+166.66 грн
500+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB014N06N_DS_v02_02_en-1731680.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.22 грн
10+252.35 грн
25+207.70 грн
100+157.06 грн
250+154.12 грн
500+129.90 грн
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.66 грн
8+150.52 грн
21+137.61 грн
1000+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb014n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.