Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB015N04NGATMA1
IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies

ipb015n04n_rev2.21.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+150.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IPB015N04NGATMA1 за ціною від 144.82 грн до 424.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb015n04n_rev2.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+161.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb015n04n_rev2.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+170.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB015N04N_DS_v02_02_en_5b1_5d-3362259.pdf MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.61 грн
10+278.16 грн
100+172.88 грн
500+144.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb015n04n_rev2.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb015n04n_rev2.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb015n04n_rev2.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845 Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845 Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.