IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.00 грн |
| 10+ | 152.99 грн |
| 100+ | 106.37 грн |
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Технічний опис IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB015N06NF2SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPB015N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB015N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB015N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB015N06NF2SATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB015N06NF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB015N06NF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)