Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB015N08N5ATMA1
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+208.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IPB015N08N5ATMA1 за ціною від 230.83 грн до 660.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+301.40 грн
3000+301.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+305.58 грн
3000+305.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.05 грн
10+313.93 грн
25+298.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.05 грн
46+313.93 грн
48+298.71 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.77 грн
10+347.39 грн
50+276.59 грн
100+238.20 грн
500+230.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.18 грн
10+392.75 грн
100+362.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+660.32 грн
37+393.43 грн
100+362.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb015n08n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+295.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+295.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+301.40 грн
3000+301.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+305.58 грн
3000+305.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+329.05 грн
10+313.93 грн
25+298.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+329.05 грн
46+313.93 грн
48+298.71 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+532.77 грн
10+347.39 грн
50+276.59 грн
100+238.20 грн
500+230.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+659.18 грн
10+392.75 грн
100+362.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+660.32 грн
37+393.43 грн
100+362.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 infineon_ipb015n08n5_datasheet_en.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.