Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB015N08N5ATMA1
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.55 грн
10+308.05 грн
100+255.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB015N08N5ATMA1 за ціною від 241.47 грн до 557.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+397.86 грн
100+298.82 грн
500+271.97 грн
1000+250.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB015N08N5_DataSheet_v02_02_EN-3362083.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.03 грн
10+372.28 грн
25+322.97 грн
100+273.92 грн
1000+242.23 грн
2000+241.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+557.85 грн
10+397.86 грн
100+298.82 грн
500+271.97 грн
1000+250.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 IPB015N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb015n08n5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB015N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca3499a41e96 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.