IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPB016N06L3GATMA1 за ціною від 114.58 грн до 322.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V |
на замовлення 9490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A On-state resistance: 1.6mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB016N06L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-7 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A On-state resistance: 1.6mΩ |
товар відсутній |