Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB016N06L3GATMA1
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies

IPB016N06L3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e261543e54693
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+147.69 грн
3000+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції IPB016N06L3GATMA1 за ціною від 154.66 грн до 399.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.28 грн
10+175.27 грн
25+174.24 грн
100+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.28 грн
81+174.24 грн
100+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.27 грн
10+243.67 грн
100+196.07 грн
500+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.66 грн
58+245.35 грн
100+197.43 грн
500+178.70 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.28 грн
10+272.12 грн
50+265.74 грн
100+200.65 грн
500+175.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.89 грн
52+272.59 грн
54+266.19 грн
100+200.99 грн
500+176.16 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB016N06L3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e261543e54693 Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.43 грн
10+256.22 грн
50+201.06 грн
100+172.02 грн
500+154.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB016N06L3_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipb016n06l3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+164.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+185.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.28 грн
10+175.27 грн
25+174.24 грн
100+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.28 грн
81+174.24 грн
100+164.84 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+194.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+197.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+346.27 грн
10+243.67 грн
100+196.07 грн
500+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+348.66 грн
58+245.35 грн
100+197.43 грн
500+178.70 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+359.28 грн
10+272.12 грн
50+265.74 грн
100+200.65 грн
500+175.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+359.89 грн
52+272.59 грн
54+266.19 грн
100+200.99 грн
500+176.16 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e261543e54693
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+399.43 грн
10+256.22 грн
50+201.06 грн
100+172.02 грн
500+154.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 Infineon_IPB016N06L3_DS_v02_03_en.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 ipb016n06l3_rev2.1.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.