Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB016N08NF2SATMA1
IPB016N08NF2SATMA1

IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Інші пропозиції IPB016N08NF2SATMA1 за ціною від 130.70 грн до 459.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
10000+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+209.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+212.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+220.85 грн
1600+210.74 грн
2400+203.69 грн
4000+188.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+243.04 грн
50+190.49 грн
100+162.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.87 грн
10+322.95 грн
100+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.66 грн
44+323.50 грн
100+208.81 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB016N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
10000+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+209.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+212.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+220.85 грн
1600+210.74 грн
2400+203.69 грн
4000+188.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.37 грн
10+243.04 грн
50+190.49 грн
100+162.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+458.87 грн
10+322.95 грн
100+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+459.66 грн
44+323.50 грн
100+208.81 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon_IPB016N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.