IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPB017N08N5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+434.90 грн
5+235.86 грн
10+215.49 грн
25+197.68 грн
50+188.35 грн
100+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB017N08N5ATMA1 за ціною від 189.60 грн до 509.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.48 грн
10+299.62 грн
100+220.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.82 грн
10+339.62 грн
100+214.27 грн
500+202.99 грн
1000+189.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+461.48 грн
10+299.62 грн
100+220.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+509.82 грн
10+339.62 грн
100+214.27 грн
500+202.99 грн
1000+189.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.