Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.83 грн
3000+142.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції IPB017N08N5ATMA1 за ціною від 164.08 грн до 413.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+212.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.61 грн
5+288.85 грн
10+263.26 грн
25+232.73 грн
50+214.57 грн
100+201.37 грн
500+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.43 грн
10+266.20 грн
50+209.53 грн
100+179.52 грн
500+164.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb017n08n5_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+212.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+215.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 2543307287755143dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+291.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.61 грн
5+288.85 грн
10+263.26 грн
25+232.73 грн
50+214.57 грн
100+201.37 грн
500+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+413.43 грн
10+266.20 грн
50+209.53 грн
100+179.52 грн
500+164.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 infineon_ipb017n08n5_ds_en.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 INFN-S-A0003614928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.