Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB017N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5213937-3
Price: 181030.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	181.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB017N10N5ATMA1 за ціною від 176.36 грн до 543.69 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	218.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	233.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
122+	258.56 грн
500+	244.89 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 136000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	313.43 грн
68000+	287.79 грн
102000+	269.18 грн
136000+	246.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	332.98 грн
50+	303.83 грн
200+	255.07 грн
500+	221.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	459.06 грн
10+	296.40 грн
100+	214.11 грн
500+	200.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	464.98 грн
40+	316.32 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 12844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	485.00 грн
10+	305.13 грн
100+	214.94 грн
500+	207.07 грн
1000+	176.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	507.45 грн
39+	323.89 грн
100+	245.51 грн
250+	223.20 грн
500+	190.49 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 1282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	512.28 грн
10+	332.98 грн
50+	303.83 грн
200+	255.07 грн
500+	221.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	543.69 грн
10+	350.45 грн
25+	347.03 грн
100+	263.05 грн
250+	239.14 грн
500+	204.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB017N10N5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 375W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.