Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB017N10N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+178.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB017N10N5ATMA1 за ціною від 166.35 грн до 569.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+294.47 грн
42000+270.38 грн
63000+252.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+334.20 грн
50+313.00 грн
200+225.27 грн
500+198.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+368.79 грн
35+352.94 грн
50+339.50 грн
100+316.26 грн
250+283.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.42 грн
10+283.16 грн
100+204.58 грн
500+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB017N10N5_DataSheet_v02_05_EN-3362398.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.55 грн
10+303.48 грн
100+218.52 грн
500+207.18 грн
1000+176.94 грн
5000+166.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+497.07 грн
10+334.20 грн
50+313.00 грн
200+225.27 грн
500+198.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+569.30 грн
50+440.10 грн
100+398.11 грн
200+363.64 грн
500+320.12 грн
1000+290.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb017n10n5-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.