Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB017N10N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+157.27 грн
3000+144.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IPB017N10N5ATMA1 за ціною від 166.38 грн до 562.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+245.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
500+274.62 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.16 грн
10+254.52 грн
100+240.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+351.48 грн
68000+322.72 грн
102000+301.85 грн
136000+276.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.05 грн
10+270.76 грн
50+213.00 грн
100+182.47 грн
500+166.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+521.42 грн
40+354.72 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.79 грн
10+303.94 грн
100+300.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.75 грн
47+304.47 грн
100+300.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.72 грн
10+379.33 грн
25+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.72 грн
38+379.33 грн
49+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB017N10N5_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
на замовлення 27864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+208.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+211.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+245.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+289.94 грн
500+274.62 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5-DTE.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.16 грн
10+254.52 грн
100+240.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+351.48 грн
68000+322.72 грн
102000+301.85 грн
136000+276.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.05 грн
10+270.76 грн
50+213.00 грн
100+182.47 грн
500+166.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+521.42 грн
40+354.72 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+553.79 грн
10+303.94 грн
100+300.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+554.75 грн
47+304.47 грн
100+300.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+562.72 грн
10+379.33 грн
25+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 infineonipb017n10n5datasheetv0205en.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+562.72 грн
38+379.33 грн
49+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 Infineon_IPB017N10N5_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
на замовлення 27864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.