IPB017N10N5LFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 202.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB017N10N5LFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB017N10N5LFATMA1 за ціною від 174.67 грн до 533.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPB017N10N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 313W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD On-state resistance: 1.5mΩ Drain current: 180A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 313W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC |
товару немає в наявності |