IPB018N06NF2SATMA1

IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB018N06NF2SATMA1 за ціною від 56.04 грн до 211.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.74 грн
10+126.11 грн
25+124.76 грн
100+97.67 грн
250+83.66 грн
500+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+163.41 грн
91+135.81 грн
92+134.36 грн
113+105.18 грн
250+90.10 грн
500+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.03 грн
10+119.66 грн
100+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB018N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083299.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.12 грн
10+144.11 грн
100+88.02 грн
500+85.78 грн
800+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.41 грн
10+131.55 грн
100+90.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.