IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 58.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB018N06NF2SATMA1 за ціною від 55.91 грн до 208.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB018N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |