Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB018N06NF2SATMA1
IPB018N06NF2SATMA1

IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB018N06NF2SATMA1 за ціною від 57.23 грн до 215.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+164.59 грн
91+136.79 грн
92+135.32 грн
113+105.94 грн
250+90.75 грн
500+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.23 грн
10+121.92 грн
100+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+176.35 грн
10+146.56 грн
25+144.99 грн
100+113.51 грн
250+97.23 грн
500+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.72 грн
10+137.23 грн
100+82.09 грн
500+72.58 грн
800+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.41 грн
10+134.04 грн
100+92.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 187A; 188W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 187A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb018n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.