Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N06L3GATMA1
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies

IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB019N06L3GATMA1 за ціною від 95.56 грн до 340.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.24 грн
10+132.12 грн
50+107.19 грн
100+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB019N06L3_DS_v02_02_en-1731620.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.25 грн
10+201.65 грн
25+174.66 грн
100+128.40 грн
500+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.17 грн
10+217.11 грн
100+154.14 грн
500+119.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3G-DTE.pdf
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+168.24 грн
10+132.12 грн
50+107.19 грн
100+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 Infineon_IPB019N06L3_DS_v02_02_en-1731620.pdf
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.25 грн
10+201.65 грн
25+174.66 грн
100+128.40 грн
500+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2600a49e467b
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.17 грн
10+217.11 грн
100+154.14 грн
500+119.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.