IPB019N08N3 G Infineon Technologies
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 450.79 грн |
| 10+ | 373.15 грн |
| 100+ | 262.57 грн |
| 500+ | 232.73 грн |
| 1000+ | 199.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO263-7, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, On-state resistance: 1.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IPB019N08N3 G за ціною від 356.32 грн до 507.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08N3G | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB019N08N3 G | Виробник : Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 +1 |
IPB019N08N3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
+1 |
IPB019N08N3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |