IPB019N08N3G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 586.11 грн |
| 26+ | 560.93 грн |
| 50+ | 539.56 грн |
| 100+ | 502.63 грн |
| 250+ | 451.28 грн |
| 500+ | 421.45 грн |
| 1000+ | 411.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPB019N08N3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB019N08N3 G | Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB019N08N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB019N08N3 G |
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)