IPB019N08N3 G Infineon Technologies
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.38 грн |
| 10+ | 363.61 грн |
| 100+ | 256.14 грн |
| 500+ | 228.77 грн |
| 1000+ | 193.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 180A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO263-7, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 1.9mΩ.
Інші пропозиції IPB019N08N3 G за ціною від 358.89 грн до 511.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08N3G | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB019N08N3 G | Виробник : Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 +1 |
IPB019N08N3G | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-7 Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.9mΩ |
товару немає в наявності |