Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1

IPB019N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.30 грн
10+279.46 грн
100+201.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 224W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB019N08N5ATMA1 за ціною від 130.38 грн до 130.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB019N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb019n08n5-ds-v02_00-en.pdf Trench Power Transistor IC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb019n08n5-ds-v02_00-en.pdf Trench Power Transistor IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1 IPB019N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8 Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N5_DS_v02_00_EN-3164290.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.