IPB019N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.55 грн |
| 10+ | 192.02 грн |
| 100+ | 135.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 224W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPB019N08N5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB019N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB019N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IPB019N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263-7 On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 224W Gate charge: 123nC Polarisation: unipolar Drain current: 180A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IPB019N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trench Power Transistor IC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB019N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB019N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB019N08N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB019N08N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trench Power Transistor IC
Trench Power Transistor IC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.