Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08NF2SATMA1
IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.94 грн
10+160.14 грн
100+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB019N08NF2SATMA1 за ціною від 148.50 грн до 155.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 3812003.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 3812003.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+148.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.