Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB019N08NF2SATMA1
IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції IPB019N08NF2SATMA1 за ціною від 106.72 грн до 325.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.92 грн
6400+141.33 грн
9600+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.50 грн
10+163.11 грн
50+125.75 грн
100+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.75 грн
10+176.54 грн
100+160.97 грн
500+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.30 грн
80+176.85 грн
100+161.24 грн
500+147.27 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB019N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON 3812003.pdf Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+153.92 грн
6400+141.33 грн
9600+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.10 грн
500+163.46 грн
1000+150.53 грн
10000+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.50 грн
10+163.11 грн
50+125.75 грн
100+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+324.75 грн
10+176.54 грн
100+160.97 грн
500+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineonipb019n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+325.30 грн
80+176.85 грн
100+161.24 грн
500+147.27 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon_IPB019N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 3812003.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 3812003.pdf
IPB019N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+148.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 infineon-ipb019n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.