Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020N03LF2SATMA1
IPB020N03LF2SATMA1

IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.33 грн
10+129.88 грн
100+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: IPB020N03LF2SATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPB020N03LF2SATMA1 за ціною від 60.16 грн до 222.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB020N03LF2SATMA1 IPB020N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_ipb020n03lf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.90 грн
10+142.07 грн
100+85.94 грн
500+75.89 грн
800+63.53 грн
2400+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1 IPB020N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.