IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB020N03LF2SATMA1
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.03 грн |
| 10+ | 124.08 грн |
| 100+ | 85.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPB020N03LF2SATMA1 за ціною від 61.25 грн до 236.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB020N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB020N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPB020N03LF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.13 грн |
| 10+ | 145.09 грн |
| 100+ | 86.69 грн |
| 500+ | 68.51 грн |
| 800+ | 66.68 грн |
| 2400+ | 61.25 грн |
| IPB020N03LF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.00 грн |
| 10+ | 152.12 грн |
| 100+ | 105.25 грн |
| 500+ | 86.28 грн |