Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020N08N5ATMA1
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IPB020N08N5ATMA1 за ціною від 108.74 грн до 341.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.40 грн
2000+121.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.76 грн
10+218.88 грн
100+156.23 грн
500+139.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003726283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB020N08N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003726283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+134.40 грн
2000+121.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+157.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+192.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+341.76 грн
10+218.88 грн
100+156.23 грн
500+139.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 INFN-S-A0003726283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 Infineon_IPB020N08N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 infineon-ipb020n08n5-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 INFN-S-A0003726283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.