Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020N10N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 20930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+187.76 грн
2000+170.45 грн
3000+165.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPB020N10N5ATMA1 за ціною від 160.00 грн до 498.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.77 грн
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB020N10N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.15 грн
10+294.23 грн
100+185.37 грн
500+171.27 грн
1000+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 20930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.75 грн
10+321.46 грн
100+231.50 грн
500+181.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+426.77 грн
10+297.67 грн
50+259.02 грн
200+204.63 грн
500+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 Infineon_IPB020N10N5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+448.15 грн
10+294.23 грн
100+185.37 грн
500+171.27 грн
1000+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 20930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+498.75 грн
10+321.46 грн
100+231.50 грн
500+181.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.