Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020N10N5LFATMA1
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+219.84 грн
3000+210.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPB020N10N5LFATMA1 за ціною від 228.38 грн до 1104.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+287.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+301.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+301.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+356.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.98 грн
10+323.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67 Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 29439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.97 грн
10+366.60 грн
50+291.60 грн
100+251.02 грн
500+228.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb020n10n5lf_datasheet_en.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+625.37 грн
10+331.53 грн
100+265.01 грн
500+246.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.02 грн
10+434.33 грн
50+427.42 грн
100+332.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+639.11 грн
34+435.08 грн
50+428.15 грн
100+332.83 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+777.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1104.45 грн
15+998.86 грн
50+888.29 грн
100+779.90 грн
200+697.72 грн
500+615.50 грн
1000+556.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON 2718763.pdf Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON 2718763.pdf Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+287.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+291.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+301.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+301.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+356.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+464.98 грн
10+323.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 29439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+562.97 грн
10+366.60 грн
50+291.60 грн
100+251.02 грн
500+228.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon_ipb020n10n5lf_datasheet_en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+625.37 грн
10+331.53 грн
100+265.01 грн
500+246.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+638.02 грн
10+434.33 грн
50+427.42 грн
100+332.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+639.11 грн
34+435.08 грн
50+428.15 грн
100+332.83 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+777.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1104.45 грн
15+998.86 грн
50+888.29 грн
100+779.90 грн
200+697.72 грн
500+615.50 грн
1000+556.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 2718763.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 infineon-ipb020n10n5lf-datasheet-v02_03-en.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 2718763.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.