Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020N10N5LFATMA1
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPB020N10N5LFATMA1 за ціною від 167.75 грн до 478.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67 Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+355.23 грн
100+262.31 грн
500+221.43 грн
1000+190.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67 Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 12676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.32 грн
10+266.18 грн
100+192.12 грн
500+179.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB020N10N5LF_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.24 грн
10+308.01 грн
100+193.12 грн
500+179.73 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON 2718763.pdf Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.58 грн
10+314.12 грн
100+231.89 грн
500+194.71 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+355.23 грн
100+262.31 грн
500+221.43 грн
1000+190.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 12676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+412.32 грн
10+266.18 грн
100+192.12 грн
500+179.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon_IPB020N10N5LF_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+466.24 грн
10+308.01 грн
100+193.12 грн
500+179.73 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 2718763.pdf
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+478.58 грн
10+314.12 грн
100+231.89 грн
500+194.71 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.