IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 175.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB020N10N5LFATMA1 за ціною від 168.07 грн до 937.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V |
на замовлення 8689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 5936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPB020N10N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |