Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB020NE7N3GATMA1
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+185.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB020NE7N3GATMA1 за ціною від 168.02 грн до 652.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+250.92 грн
2000+236.69 грн
3000+229.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+268.20 грн
2000+250.85 грн
3000+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.37 грн
2000+251.85 грн
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.37 грн
2000+251.85 грн
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+271.59 грн
2000+254.02 грн
3000+243.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+280.98 грн
500+266.93 грн
1000+251.71 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 7434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.37 грн
10+293.38 грн
100+212.23 грн
500+168.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.90 грн
10+454.34 грн
100+335.25 грн
500+271.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+652.38 грн
31+457.47 грн
100+337.56 грн
500+273.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+250.92 грн
2000+236.69 грн
3000+229.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+268.20 грн
2000+250.85 грн
3000+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+269.37 грн
2000+251.85 грн
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+269.37 грн
2000+251.85 грн
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+271.59 грн
2000+254.02 грн
3000+243.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+280.98 грн
500+266.93 грн
1000+251.71 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 7434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.37 грн
10+293.38 грн
100+212.23 грн
500+168.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+647.90 грн
10+454.34 грн
100+335.25 грн
500+271.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 ipb020ne7n3_rev20.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304320d39d590121e31c838.pdf
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+652.38 грн
31+457.47 грн
100+337.56 грн
500+273.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.