Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB021N10NM5LF2ATMA1
IPB021N10NM5LF2ATMA1

IPB021N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_01-31-2025_DS_IPB021N10NM5LF2_1_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.83 грн
10+315.45 грн
100+222.05 грн
500+197.38 грн
1000+169.08 грн
2000+158.92 грн
5000+158.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB021N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPB021N10NM5LF2ATMA1 за ціною від 169.08 грн до 397.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.20 грн
10+256.02 грн
100+184.01 грн
500+169.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf Description: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.