Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB023N03LF2SATMA1
IPB023N03LF2SATMA1

IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm.

Інші пропозиції IPB023N03LF2SATMA1 за ціною від 90.41 грн до 210.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+131.18 грн
100+90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb023n03lf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.06 грн
10+131.18 грн
100+90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon_ipb023n03lf2s_datasheet_en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.