Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB023N04NF2SATMA1
IPB023N04NF2SATMA1

IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+93.34 грн
500+89.38 грн
1000+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB023N04NF2SATMA1 за ціною від 89.38 грн до 93.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.34 грн
500+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB023N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083312.pdf MOSFETs N
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 INFINEON 3920480.pdf Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 INFINEON 3920480.pdf Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+93.34 грн
500+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 Infineon_IPB023N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083312.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 3920480.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 3920480.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.