Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB023N04NF2SATMA1
IPB023N04NF2SATMA1

IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+94.18 грн
500+90.18 грн
1000+85.17 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції IPB023N04NF2SATMA1 за ціною від 90.18 грн до 94.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+94.18 грн
500+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB023N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083312.pdf MOSFETs N
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 INFINEON 3920480.pdf Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 IPB023N04NF2SATMA1 INFINEON 3920480.pdf Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 infineon-ipb023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+94.18 грн
500+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 Infineon_IPB023N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083312.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 3920480.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N04NF2SATMA1 3920480.pdf
IPB023N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.