Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB024N08N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies

1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+91.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB024N08N5ATMA1 за ціною від 119.5 грн до 352.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+169.57 грн
10+ 163.56 грн
25+ 161.97 грн
100+ 154.51 грн
250+ 141.51 грн
500+ 134.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+182.62 грн
67+ 176.14 грн
68+ 174.43 грн
100+ 166.39 грн
250+ 152.39 грн
500+ 144.69 грн
Мінімальне замовлення: 65
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB024N08N5_DS_v02_01_EN-1226841.pdf MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.06 грн
10+ 171.98 грн
25+ 148.88 грн
100+ 130.85 грн
250+ 130.18 грн
500+ 121.51 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.15 грн
10+ 211.9 грн
100+ 171.42 грн
500+ 142.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+287.59 грн
25+ 265.12 грн
100+ 225.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+352.74 грн
10+ 287.59 грн
25+ 265.12 грн
100+ 225.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB024N08N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товар відсутній
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB024N08N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній