Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB024N08N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies

1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB024N08N5ATMA1 за ціною від 138.13 грн до 345.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+172.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+194.09 грн
67+187.21 грн
68+185.38 грн
100+176.84 грн
250+161.97 грн
500+153.78 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.95 грн
10+200.58 грн
25+198.62 грн
100+189.47 грн
250+173.54 грн
500+164.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.29 грн
10+190.72 грн
100+145.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB024N08N5_DS_v02_01_EN-1226841.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.81 грн
10+264.26 грн
25+216.60 грн
100+185.54 грн
250+175.45 грн
500+164.58 грн
1000+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.99 грн
10+220.61 грн
100+156.81 грн
500+138.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1264617398769473infineon-ipb024n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA8C0E6BD0011C&compId=IPB024N08N5-dte.pdf?ci_sign=49f9c54818950a9a239eac3f0159014c59fedaf1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.