Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB025N08N3GATMA1
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+144.85 грн
2000+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції IPB025N08N3GATMA1 за ціною від 141.48 грн до 607.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+243.60 грн
500+231.42 грн
1000+218.02 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+243.60 грн
500+231.42 грн
1000+218.02 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+243.60 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+251.26 грн
98000+230.70 грн
147000+215.79 грн
196000+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+266.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.36 грн
7+149.11 грн
18+141.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.94 грн
10+251.16 грн
100+179.70 грн
500+151.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.76 грн
10+280.13 грн
100+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+452.54 грн
53+280.62 грн
100+241.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+546.64 грн
32+463.40 грн
50+352.83 грн
200+319.87 грн
500+259.56 грн
1000+242.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+595.85 грн
100+568.83 грн
250+521.48 грн
500+495.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.64 грн
10+541.96 грн
25+536.70 грн
100+421.88 грн
250+386.72 грн
500+313.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+243.60 грн
500+231.42 грн
1000+218.02 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+243.60 грн
500+231.42 грн
1000+218.02 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+243.60 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+251.26 грн
98000+230.70 грн
147000+215.79 грн
196000+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+266.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+269.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3G-DTE.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+329.36 грн
7+149.11 грн
18+141.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.94 грн
10+251.16 грн
100+179.70 грн
500+151.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+451.76 грн
10+280.13 грн
100+240.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+452.54 грн
53+280.62 грн
100+241.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+546.64 грн
32+463.40 грн
50+352.83 грн
200+319.87 грн
500+259.56 грн
1000+242.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+595.85 грн
100+568.83 грн
250+521.48 грн
500+495.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+607.64 грн
10+541.96 грн
25+536.70 грн
100+421.88 грн
250+386.72 грн
500+313.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.