Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB025N08N3GATMA1
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+146.43 грн
2000+133.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції IPB025N08N3GATMA1 за ціною від 137.04 грн до 586.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+225.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+225.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
500+223.44 грн
1000+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
500+223.44 грн
1000+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.20 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+242.59 грн
98000+222.74 грн
147000+208.35 грн
196000+190.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+256.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+260.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.48 грн
10+186.71 грн
100+149.88 грн
250+137.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.23 грн
10+253.91 грн
100+181.67 грн
500+153.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.18 грн
10+270.47 грн
100+232.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+436.94 грн
53+270.94 грн
100+232.95 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.79 грн
32+447.42 грн
50+340.66 грн
200+308.84 грн
500+250.61 грн
1000+234.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.30 грн
100+549.22 грн
250+503.50 грн
500+478.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.68 грн
10+523.27 грн
25+518.19 грн
100+407.33 грн
250+373.38 грн
500+303.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+225.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+225.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
500+223.44 грн
1000+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
500+223.44 грн
1000+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.20 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+242.59 грн
98000+222.74 грн
147000+208.35 грн
196000+190.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+256.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+260.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3G-DTE.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.48 грн
10+186.71 грн
100+149.88 грн
250+137.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.23 грн
10+253.91 грн
100+181.67 грн
500+153.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+436.18 грн
10+270.47 грн
100+232.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+436.94 грн
53+270.94 грн
100+232.95 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+527.79 грн
32+447.42 грн
50+340.66 грн
200+308.84 грн
500+250.61 грн
1000+234.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+575.30 грн
100+549.22 грн
250+503.50 грн
500+478.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 1255346073638597infineon-ipb025n08n3-ds-v01_02-en.pdffileiddb3a304317a748360117d3.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+586.68 грн
10+523.27 грн
25+518.19 грн
100+407.33 грн
250+373.38 грн
500+303.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.