Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 160.65 грн до 586.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.43 грн
3000+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.14 грн
3000+222.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+236.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+246.96 грн
500+234.02 грн
1000+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+421.17 грн
3+350.46 грн
10+288.66 грн
100+249.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.25 грн
10+297.28 грн
50+234.20 грн
100+200.76 грн
500+174.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+586.15 грн
36+401.40 грн
50+323.17 грн
100+291.66 грн
500+236.25 грн
1000+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.59 грн
10+401.70 грн
50+323.42 грн
100+291.88 грн
500+236.43 грн
1000+223.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+173.43 грн
3000+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+231.14 грн
3000+222.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+233.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+236.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+246.96 грн
500+234.02 грн
1000+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+421.17 грн
3+350.46 грн
10+288.66 грн
100+249.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.25 грн
10+297.28 грн
50+234.20 грн
100+200.76 грн
500+174.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+586.15 грн
36+401.40 грн
50+323.17 грн
100+291.66 грн
500+236.25 грн
1000+223.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 ipb025n10n3g_rev2.1.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+586.59 грн
10+401.70 грн
50+323.42 грн
100+291.88 грн
500+236.43 грн
1000+223.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.