Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB025N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 35649505-5
Price: 178190.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	178.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 168.88 грн до 508.15 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	190.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	196.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	196.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	199.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	231.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	247.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
113+	284.56 грн
500+	269.63 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1046000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	288.25 грн
528000+	264.66 грн
792000+	247.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	336.18 грн
10+	284.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 180A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	384.21 грн
3+	318.51 грн
10+	262.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	461.05 грн
3+	396.91 грн
10+	315.35 грн
100+	285.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

Кількість	Ціна
1+	240.00 грн
10+	215.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	464.81 грн
10+	331.37 грн
100+	255.24 грн
500+	222.87 грн
1000+	168.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	478.75 грн
10+	336.03 грн
100+	225.14 грн
500+	223.54 грн
1000+	190.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 7113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	494.84 грн
10+	321.25 грн
100+	235.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
26+	508.15 грн
50+	362.36 грн
100+	329.10 грн
200+	263.91 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPB025N10N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.