Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 176.10 грн до 513.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+180.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+233.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+250.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+287.83 грн
500+272.73 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1046000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+291.56 грн
528000+267.71 грн
792000+250.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.04 грн
10+287.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.89 грн
3+341.52 грн
10+275.06 грн
100+241.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.52 грн
10+336.72 грн
100+251.93 грн
500+204.41 грн
1000+176.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.15 грн
10+318.95 грн
100+231.32 грн
500+199.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB025N10N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.82 грн
10+330.30 грн
100+214.54 грн
500+197.07 грн
1000+184.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+513.99 грн
50+366.52 грн
100+332.89 грн
200+266.94 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.