Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB025N10N3GATMA1
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 162.69 грн до 498.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+199.04 грн
2000+183.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+202.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+213.26 грн
2000+196.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+216.77 грн
2000+200.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+232.53 грн
2000+214.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+393.53 грн
3+331.70 грн
4+243.09 грн
11+229.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.79 грн
10+317.66 грн
100+256.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+445.74 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB025N10N3G_DS_v02_03_en-1227063.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.18 грн
10+374.85 грн
100+263.48 грн
500+234.12 грн
1000+200.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+461.08 грн
10+383.39 грн
100+299.79 грн
500+243.87 грн
1000+190.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+464.79 грн
35+349.90 грн
36+339.80 грн
50+314.18 грн
100+222.76 грн
250+210.87 грн
500+162.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.23 грн
3+413.35 грн
4+291.71 грн
11+275.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+498.59 грн
10+375.34 грн
25+364.50 грн
50+337.02 грн
100+238.95 грн
250+226.20 грн
500+174.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.