Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB025N10N3GATMA1
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.71 грн
2000+171.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 151.98 грн до 479.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+188.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+194.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+200.00 грн
2000+184.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+202.50 грн
2000+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+217.82 грн
2000+201.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+385.48 грн
3+322.07 грн
4+248.73 грн
11+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.20 грн
10+326.86 грн
25+317.43 грн
50+293.50 грн
100+208.09 грн
250+196.98 грн
500+151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145
Додати до обраних Обраний товар

IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB025N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ab1d9d51349 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.77 грн
10+309.56 грн
100+229.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+447.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB025N10N3G_DS_v02_03_en-1227063.pdf MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.72 грн
10+381.09 грн
100+267.86 грн
500+238.01 грн
1000+203.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.58 грн
3+401.35 грн
4+298.47 грн
11+282.21 грн
1050+276.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+467.03 грн
35+351.59 грн
36+341.44 грн
50+315.69 грн
100+223.83 грн
250+211.88 грн
500+163.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+479.06 грн
10+354.57 грн
100+258.42 грн
500+204.08 грн
1000+187.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb025n10n3g_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.