Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB026N06NATMA1
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

ipb026n06n_rev2.2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+106.71 грн
3000+105.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції IPB026N06NATMA1 за ціною від 103.54 грн до 309.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.19 грн
3000+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.09 грн
100+147.00 грн
500+118.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.98 грн
10+217.80 грн
25+215.62 грн
100+168.87 грн
250+154.80 грн
500+126.52 грн
1000+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.98 грн
65+217.80 грн
66+215.62 грн
100+168.87 грн
250+154.80 грн
500+126.52 грн
1000+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.31 грн
75+188.63 грн
102+138.75 грн
500+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.78 грн
10+196.56 грн
50+152.58 грн
100+129.91 грн
500+109.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB026N06N_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.19 грн
3000+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.09 грн
100+147.00 грн
500+118.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.98 грн
10+217.80 грн
25+215.62 грн
100+168.87 грн
250+154.80 грн
500+126.52 грн
1000+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+242.98 грн
65+217.80 грн
66+215.62 грн
100+168.87 грн
250+154.80 грн
500+126.52 грн
1000+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 ipb026n06n_rev2.2.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+273.31 грн
75+188.63 грн
102+138.75 грн
500+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.78 грн
10+196.56 грн
50+152.58 грн
100+129.91 грн
500+109.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 Infineon_IPB026N06N_DS_v02_02_en.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.