Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB026N06NATMA1
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

ipb026n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB026N06NATMA1 за ціною від 65.95 грн до 225.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.28 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB026N06N_DS_v02_02_en-1227367.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.64 грн
10+89.38 грн
500+70.71 грн
1000+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.74 грн
10+94.81 грн
100+82.28 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.60 грн
10+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+210.58 грн
65+188.76 грн
66+186.87 грн
100+146.35 грн
250+134.16 грн
500+109.65 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.62 грн
10+202.25 грн
25+200.22 грн
100+156.80 грн
250+143.74 грн
500+117.48 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D919F0C5211C&compId=IPB026N06N-DTE.pdf?ci_sign=9e67f2cfc0142beb0bd4b1ee285c5ae4db6e555a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb026n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D919F0C5211C&compId=IPB026N06N-DTE.pdf?ci_sign=9e67f2cfc0142beb0bd4b1ee285c5ae4db6e555a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.