Продукція > UMW > IPB027N10N3G
IPB027N10N3G

IPB027N10N3G UMW

027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.61 грн
10+101.18 грн
100+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N3G UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Інші пропозиції IPB027N10N3G за ціною від 177.81 грн до 427.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+207.03 грн
6000+190.09 грн
9000+177.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+207.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+355.65 грн
37+340.37 грн
50+327.40 грн
100+305.00 грн
250+273.84 грн
500+255.73 грн
1000+249.48 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N3G-DS-v02_04-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.40 грн
1000+368.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3 G Виробник : Infineon
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3G IPB027N10N3G Виробник : UMW 027414fc05735ca7e91a2033c67924ea.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.