IPB027N10N3G UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.83 грн |
| 10+ | 102.53 грн |
| 100+ | 69.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB027N10N3G UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IPB027N10N3G за ціною від 363.31 грн до 517.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB027N10N3 G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPB027N10N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB027N10N3 G | Infineon |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB027N10N3 G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 517.93 грн |
| 29+ | 495.67 грн |
| 50+ | 476.79 грн |
| 100+ | 444.17 грн |
| 250+ | 398.79 грн |
| 500+ | 372.42 грн |
| 1000+ | 363.31 грн |
| IPB027N10N3 G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB027N10N3 G |
Виробник: Infineon
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




