IPB027N10N3G UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 56.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB027N10N3G UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IPB027N10N3G за ціною від 67.47 грн до 534.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB027N10N3G | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB027N10N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 3473 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB027N10N3 G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPB027N10N3G |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.11 грн |
| 10+ | 105.56 грн |
| 50+ | 80.08 грн |
| 100+ | 67.47 грн |
| IPB027N10N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 512.51 грн |
| 10+ | 331.40 грн |
| 100+ | 211.87 грн |
| 500+ | 188.90 грн |
| 1000+ | 168.90 грн |
| IPB027N10N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 534.07 грн |
| 29+ | 511.13 грн |
| 50+ | 491.65 грн |
| 100+ | 458.01 грн |
| 250+ | 411.22 грн |
| 500+ | 384.03 грн |
| 1000+ | 374.64 грн |