Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB027N10N3GATMA1 за ціною від 150.92 грн до 470.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+154.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+196.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+210.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+212.47 грн
200+186.29 грн
500+169.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+215.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+232.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.11 грн
10+224.33 грн
50+212.47 грн
200+186.29 грн
500+169.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.19 грн
10+199.50 грн
100+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+309.84 грн
45+275.18 грн
50+262.95 грн
100+245.70 грн
200+221.13 грн
500+205.30 грн
1000+191.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en-1226953.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.89 грн
10+233.44 грн
100+171.30 грн
250+168.28 грн
500+166.77 грн
1000+150.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+436.71 грн
10+307.47 грн
25+304.36 грн
100+219.32 грн
250+194.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+470.30 грн
37+331.12 грн
38+327.77 грн
100+236.19 грн
250+209.30 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA980C7A9211C&compId=IPB027N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=65d103be878610d0403d27ac03d097367864db37 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA980C7A9211C&compId=IPB027N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=65d103be878610d0403d27ac03d097367864db37 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.