Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+160.25 грн
2000+148.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції IPB027N10N3GATMA1 за ціною від 170.62 грн до 425.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+176.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.84 грн
1000+196.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+220.35 грн
1000+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+237.66 грн
500+225.95 грн
1000+213.08 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+249.40 грн
62000+229.00 грн
93000+214.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.66 грн
10+274.55 грн
100+197.62 грн
500+170.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON 1849751.html Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON 1849751.html Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+176.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.84 грн
1000+196.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+220.35 грн
1000+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+237.66 грн
500+225.95 грн
1000+213.08 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+249.40 грн
62000+229.00 грн
93000+214.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+425.66 грн
10+274.55 грн
100+197.62 грн
500+170.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 ipb027n10n3g_rev2.2.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 1849751.html
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 1849751.html
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.