Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+132.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB027N10N3GATMA1 за ціною від 136.13 грн до 401.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+142.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+154.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+163.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+213.86 грн
500+203.33 грн
1000+191.74 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+215.84 грн
68+185.92 грн
69+184.99 грн
100+161.65 грн
250+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON 1849751.html Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+226.65 грн
200+190.49 грн
500+172.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.26 грн
10+199.20 грн
25+198.21 грн
100+173.19 грн
250+145.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.52 грн
10+223.16 грн
100+160.51 грн
500+159.71 грн
1000+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.67 грн
10+242.77 грн
50+222.17 грн
200+187.17 грн
500+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.69 грн
10+257.62 грн
100+184.42 грн
500+166.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.