Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+137.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.

Інші пропозиції IPB027N10N3GATMA1 за ціною від 161.37 грн до 512.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+217.5 грн
56+ 209.22 грн
100+ 202.12 грн
250+ 188.99 грн
500+ 170.22 грн
Мінімальне замовлення: 54
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+224.45 грн
2000+ 203.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+236.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 11140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+307.81 грн
100+ 305.56 грн
500+ 254.53 грн
1000+ 189.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON 1849751.html Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+311.55 грн
10+ 241.9 грн
50+ 237.41 грн
200+ 215.58 грн
500+ 195.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 10504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.03 грн
10+ 350.98 грн
100+ 283.97 грн
500+ 236.88 грн
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+450.84 грн
10+ 386.66 грн
25+ 376.67 грн
100+ 297.35 грн
250+ 221.71 грн
500+ 161.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N3G_DS_v02_04_en-1226953.pdf MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.22 грн
10+ 390.02 грн
25+ 329.13 грн
100+ 274.39 грн
250+ 266.38 грн
500+ 243.68 грн
1000+ 204.96 грн
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+512.22 грн
32+ 372.97 грн
50+ 331.21 грн
100+ 300.19 грн
200+ 261.97 грн
500+ 234.45 грн
1000+ 219.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb027n10n3g_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній