IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 141.14 грн |
| 2000+ | 128.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB027N10N3GATMA1 за ціною від 138.45 грн до 399.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V |
на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPB027N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |