Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IPB027N10N5ATMA1 за ціною від 155.74 грн до 498.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.09 грн
10+216.88 грн
25+216.39 грн
100+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+229.09 грн
68+216.39 грн
100+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+359.72 грн
100+257.14 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.81 грн
10+281.96 грн
50+221.65 грн
100+189.79 грн
500+172.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb027n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+480.13 грн
10+310.61 грн
100+198.62 грн
500+176.80 грн
1000+155.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+496.35 грн
41+360.90 грн
100+266.91 грн
500+226.36 грн
1000+196.22 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.72 грн
10+362.16 грн
100+267.99 грн
500+227.34 грн
1000+196.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+498.57 грн
41+362.79 грн
100+268.45 грн
500+227.72 грн
1000+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.09 грн
10+216.88 грн
25+216.39 грн
100+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+229.09 грн
68+216.39 грн
100+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+359.72 грн
100+257.14 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.81 грн
10+281.96 грн
50+221.65 грн
100+189.79 грн
500+172.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineon_ipb027n10n5_datasheet_en.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.13 грн
10+310.61 грн
100+198.62 грн
500+176.80 грн
1000+155.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+496.35 грн
41+360.90 грн
100+266.91 грн
500+226.36 грн
1000+196.22 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+497.72 грн
10+362.16 грн
100+267.99 грн
500+227.34 грн
1000+196.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+498.57 грн
41+362.79 грн
100+268.45 грн
500+227.72 грн
1000+197.30 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineon-ipb027n10n5-datasheet-cn.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.