Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+140.40 грн
2000+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB027N10N5ATMA1 за ціною від 146.76 грн до 461.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.37 грн
10+206.97 грн
25+204.89 грн
100+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.37 грн
69+206.97 грн
70+204.89 грн
100+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb027n10n5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.61 грн
100+232.05 грн
500+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.61 грн
10+243.96 грн
100+174.37 грн
500+146.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.11 грн
10+304.25 грн
50+261.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB027N10N5_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.31 грн
10+297.47 грн
100+190.30 грн
500+169.16 грн
1000+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+223.37 грн
10+206.97 грн
25+204.89 грн
100+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
64+223.37 грн
69+206.97 грн
70+204.89 грн
100+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 infineonipb027n10n5datasheeten.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+324.61 грн
100+232.05 грн
500+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+380.61 грн
10+243.96 грн
100+174.37 грн
500+146.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+439.11 грн
10+304.25 грн
50+261.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 Infineon_IPB027N10N5_DS_v02_04_EN.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+461.31 грн
10+297.47 грн
100+190.30 грн
500+169.16 грн
1000+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.