IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPB029N06N3GATMA1 за ціною від 52.95 грн до 151.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB029N06N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB029N06N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 29422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB029N06N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPB029N06N3GATMA1 Код товару: 150736 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPB029N06N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB029N06N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 |
товар відсутній |