Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB029N06N3GATMA1
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp032n06n3_rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB029N06N3GATMA1 за ціною від 58.94 грн до 195.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+64.80 грн
2000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 24609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.10 грн
10+115.49 грн
100+81.09 грн
500+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP032N06N3_DS_v02_02_en-3164921.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.69 грн
10+137.90 грн
100+84.60 грн
500+71.29 грн
1000+64.74 грн
2000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736
Додати до обраних Обраний товар

IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.