IPB029N06NF2SATMA1

IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.44 грн
1600+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

Інші пропозиції IPB029N06NF2SATMA1 за ціною від 52.25 грн до 137.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.03 грн
10+85.26 грн
100+54.96 грн
500+54.50 грн
800+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.72 грн
10+96.48 грн
100+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb029n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.