Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB029N06NF2SATMA1
IPB029N06NF2SATMA1

IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції IPB029N06NF2SATMA1 за ціною від 96.85 грн до 270.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.88 грн
8000+136.96 грн
12000+127.43 грн
16000+115.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.65 грн
134+106.18 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.49 грн
100+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.84 грн
88+161.18 грн
132+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.95 грн
10+164.65 грн
100+106.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
10+170.35 грн
50+131.65 грн
100+111.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON 3920481.pdf Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+96.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+96.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+149.88 грн
8000+136.96 грн
12000+127.43 грн
16000+115.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+164.65 грн
134+106.18 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+173.49 грн
100+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+234.84 грн
88+161.18 грн
132+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 infineonipb029n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+250.95 грн
10+164.65 грн
100+106.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.42 грн
10+170.35 грн
50+131.65 грн
100+111.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 3920481.pdf
IPB029N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.