IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 56.92 грн |
| 1600+ | 54.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 150W; D2PAK,TO263; SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 20V, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of channel: enhancement, Electrical mounting: SMT, On-state resistance: 2.9mΩ, Power dissipation: 150W.
Інші пропозиції IPB029N06NF2SATMA1 за ціною від 50.89 грн до 134.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB029N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB029N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPB029N06NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 150W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 150W |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPB029N06NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |