Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB029N15NM6ATMA1
IPB029N15NM6ATMA1

IPB029N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB029N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077532ed67053 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.18 грн
10+435.02 грн
100+347.79 грн
500+313.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB029N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPB029N15NM6ATMA1 за ціною від 305.50 грн до 672.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb029n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.89 грн
10+599.02 грн
25+593.14 грн
100+566.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb029n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+645.09 грн
25+638.77 грн
100+609.85 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB029N15NM6_DataSheet_v02_00_EN-3478226.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.21 грн
10+529.92 грн
25+415.80 грн
100+367.91 грн
250+360.65 грн
1000+306.23 грн
5000+305.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb029n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB029N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077532ed67053 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.