на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 569.88 грн |
| 10+ | 419.13 грн |
| 100+ | 294.90 грн |
| 500+ | 263.89 грн |
| 1000+ | 223.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB029N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPB029N15NM6ATMA1 за ціною від 326.95 грн до 694.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |