Технічний опис IPB029N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.
Інші пропозиції IPB029N15NM6ATMA1 за ціною від 192.68 грн до 631.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPB029N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPB029N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 276.65 грн |
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 396.00 грн |
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 467.94 грн |
| 10+ | 303.05 грн |
| 50+ | 239.66 грн |
| 100+ | 205.77 грн |
| 500+ | 192.68 грн |
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 631.12 грн |
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB029N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)