Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB031N08N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+91.33 грн
2000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IPB031N08N5ATMA1 за ціною від 88.81 грн до 300.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81 Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 11297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.67 грн
10+165.16 грн
100+115.79 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.69 грн
10+183.18 грн
100+112.07 грн
500+95.86 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.14 грн
10+197.35 грн
100+144.72 грн
500+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 11297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+261.67 грн
10+165.16 грн
100+115.79 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.69 грн
10+183.18 грн
100+112.07 грн
500+95.86 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 INFN-S-A0000250419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+300.14 грн
10+197.35 грн
100+144.72 грн
500+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.