IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.65 грн |
| 10+ | 347.04 грн |
| 100+ | 247.18 грн |
| 250+ | 232.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3, Power dissipation: 214W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 100A, On-state resistance: 3.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB031NE7N3GATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2 |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPB031NE7N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3 Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |