Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB033N10N5LFATMA1
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+136.64 грн
2000+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції IPB033N10N5LFATMA1 за ціною від 142.88 грн до 612.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.24 грн
10+237.34 грн
100+169.68 грн
500+142.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.07 грн
10+511.29 грн
25+494.52 грн
100+392.69 грн
250+359.92 грн
500+319.76 грн
1000+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+612.07 грн
28+511.29 грн
29+494.52 грн
100+392.69 грн
250+359.92 грн
500+319.76 грн
1000+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON 3982294.pdf Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB033N10N5LF-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.24 грн
10+237.34 грн
100+169.68 грн
500+142.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+612.07 грн
10+511.29 грн
25+494.52 грн
100+392.69 грн
250+359.92 грн
500+319.76 грн
1000+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 infineon-ipb033n10n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+612.07 грн
28+511.29 грн
29+494.52 грн
100+392.69 грн
250+359.92 грн
500+319.76 грн
1000+254.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 3982294.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 Infineon-IPB033N10N5LF-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1 Infineon-IPB033N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b2555273c6a
IPB033N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.