Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB034N06L3GATMA1
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipp037n06l3_rev2.5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.59 грн
2000+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB034N06L3GATMA1 за ціною від 94.41 грн до 132.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+132.29 грн
500+119.42 грн
1000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+132.29 грн
500+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+132.29 грн
500+119.42 грн
1000+109.81 грн
10000+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 ipp037n06l3_rev2.5.pdf
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.29 грн
500+119.42 грн
1000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 ipp037n06l3_rev2.5.pdf
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.29 грн
500+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 ipp037n06l3_rev2.5.pdf
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.29 грн
500+119.42 грн
1000+109.81 грн
10000+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.