IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES


Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції IPB034N06N3GATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB034N06N3GATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb034n06n3g-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 IPB034N06N3GATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB034N06N3_G_DataSheet_v02_00_EN-3362506.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.