IPB034N06N3GATMA2 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
N-channel MOSFET

товар відсутній

---

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB034N06N3GATMA2 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPB034N06N3GATMA2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPB034N06N3GATMA2	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити
	IPB034N06N3GATMA2	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	товар відсутній	купити