Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB035N08N3GATMA1
IPB035N08N3GATMA1

IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp037n08n3_rev2.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+218.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB035N08N3GATMA1 за ціною від 146.39 грн до 423.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+221.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+238.73 грн
500+225.33 грн
1000+213.15 грн
10000+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.56 грн
10+249.79 грн
100+178.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 525 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+423.92 грн
10+272.82 грн
100+171.17 грн
500+154.65 грн
1000+146.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 ipp037n08n3_rev2.1.pdf
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+221.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 ipp037n08n3_rev2.1.pdf
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+238.73 грн
500+225.33 грн
1000+213.15 грн
10000+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.56 грн
10+249.79 грн
100+178.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 525 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.92 грн
10+272.82 грн
100+171.17 грн
500+154.65 грн
1000+146.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.