Технічний опис IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPB035N08N3GATMA1 за ціною від 175.11 грн до 382.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB035N08N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 214.42 грн |
| IPB035N08N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 231.01 грн |
| 500+ | 218.05 грн |
| 1000+ | 206.26 грн |
| 10000+ | 187.53 грн |
| IPB035N08N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 382.03 грн |
| 10+ | 244.98 грн |
| 100+ | 175.11 грн |
| IPB035N08N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)