Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB035N08N3GATMA1
IPB035N08N3GATMA1

IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP037N08N3_DS_v02_04_EN-1731937.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.79 грн
10+223.77 грн
25+191.17 грн
100+144.06 грн
500+132.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB035N08N3GATMA1 за ціною від 120.75 грн до 337.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.97 грн
10+216.94 грн
100+155.06 грн
500+120.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.