IPB035N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.08 грн |
| 10+ | 103.08 грн |
| 100+ | 70.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB035N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPB035N10NF2SATMA1 за ціною від 44.99 грн до 183.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB035N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB035N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |