Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB035N10NF2SATMA1
IPB035N10NF2SATMA1

IPB035N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB035N10NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fe49b5c07666 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.91 грн
10+105.77 грн
100+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB035N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPB035N10NF2SATMA1 за ціною від 45.85 грн до 187.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB035N10NF2SATMA1 IPB035N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_DS_IPB035N10NF2S_1_0.pdf MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.04 грн
10+117.57 грн
100+69.94 грн
500+58.16 грн
800+51.12 грн
2400+47.32 грн
4800+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1 IPB035N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB035N10NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fe49b5c07666 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.