Технічний опис IPB036N12N3 G Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7.
Інші пропозиції IPB036N12N3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB036N12N3 G | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
на замовлення 5518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPB036N12N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB036N12N3 G | Infineon |
|
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| IPB036N12N3G | Infineon technologies |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB036N12N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB036N12N3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB036N12N3 G |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IPB036N12N3G |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)