Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB036N12N3GATMA1
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+204.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції IPB036N12N3GATMA1 за ціною від 216.21 грн до 604.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+344.60 грн
110000+316.41 грн
165000+295.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.55 грн
10+342.50 грн
50+272.07 грн
100+234.06 грн
500+224.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB036N12N3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+595.59 грн
10+392.83 грн
100+274.77 грн
500+243.99 грн
1000+216.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.95 грн
10+388.44 грн
100+328.13 грн
500+307.81 грн
1000+255.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+604.99 грн
38+389.11 грн
100+328.68 грн
500+308.34 грн
1000+256.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 INFINEON INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+344.60 грн
110000+316.41 грн
165000+295.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.55 грн
10+342.50 грн
50+272.07 грн
100+234.06 грн
500+224.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 Infineon_IPB036N12N3_G_DS_v02_02_en.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+595.59 грн
10+392.83 грн
100+274.77 грн
500+243.99 грн
1000+216.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+603.95 грн
10+388.44 грн
100+328.13 грн
500+307.81 грн
1000+255.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 ipb036n12n3g_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304323b87bc20123c7030.pdf
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+604.99 грн
38+389.11 грн
100+328.68 грн
500+308.34 грн
1000+256.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB036N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.