Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB037N06N3GATMA1
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+63.50 грн
2000+57.58 грн
3000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB037N06N3GATMA1 за ціною від 53.26 грн до 168.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB037N06N3_G_DS_v02_00_EN-3362260.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.61 грн
10+115.81 грн
100+80.56 грн
500+67.13 грн
1000+57.88 грн
2000+54.98 грн
5000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.64 грн
10+92.54 грн
100+72.22 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.