Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB037N06N3GATMA1
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+77.84 грн
3000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPB037N06N3GATMA1 за ціною від 62.31 грн до 230.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.01 грн
10+86.59 грн
25+85.16 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.01 грн
164+86.59 грн
167+85.16 грн
169+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB037N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.90 грн
25+79.67 грн
100+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.88 грн
50+162.66 грн
100+146.81 грн
500+114.75 грн
1000+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.96 грн
95+149.86 грн
97+146.45 грн
133+103.12 грн
500+78.30 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.24 грн
50+110.76 грн
100+93.82 грн
500+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB037N06N3_G_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.01 грн
10+86.59 грн
25+85.16 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+88.01 грн
164+86.59 грн
167+85.16 грн
169+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3G-DTE.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.90 грн
25+79.67 грн
100+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+211.88 грн
50+162.66 грн
100+146.81 грн
500+114.75 грн
1000+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+214.96 грн
95+149.86 грн
97+146.45 грн
133+103.12 грн
500+78.30 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.44 грн
10+144.24 грн
50+110.76 грн
100+93.82 грн
500+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon_IPB037N06N3_G_DS_v02_00_EN.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.