Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB037N06N3GATMA1
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+76.59 грн
3000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB037N06N3GATMA1 за ціною від 62.73 грн до 246.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB037N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.48 грн
25+78.40 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.60 грн
10+87.17 грн
25+85.73 грн
100+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.60 грн
164+87.17 грн
167+85.73 грн
169+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.80 грн
500+142.38 грн
1000+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.80 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.29 грн
50+163.75 грн
100+147.79 грн
500+115.52 грн
1000+98.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.40 грн
95+150.87 грн
97+147.43 грн
133+103.80 грн
500+78.83 грн
1000+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.77 грн
10+141.94 грн
50+108.99 грн
100+92.32 грн
500+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 716 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+246.58 грн
10+121.11 грн
100+95.80 грн
500+77.52 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3G-DTE.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.48 грн
25+78.40 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.60 грн
10+87.17 грн
25+85.73 грн
100+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+88.60 грн
164+87.17 грн
167+85.73 грн
169+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+157.80 грн
500+142.38 грн
1000+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+157.80 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+213.29 грн
50+163.75 грн
100+147.79 грн
500+115.52 грн
1000+98.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+216.40 грн
95+150.87 грн
97+147.43 грн
133+103.80 грн
500+78.83 грн
1000+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.77 грн
10+141.94 грн
50+108.99 грн
100+92.32 грн
500+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 716 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.58 грн
10+121.11 грн
100+95.80 грн
500+77.52 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.