Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB038N12N3GATMA1
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+169.34 грн
3000+157.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції IPB038N12N3GATMA1 за ціною від 173.18 грн до 467.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.43 грн
3000+205.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.30 грн
3000+208.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.33 грн
3000+227.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB038N12N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.78 грн
25+206.91 грн
50+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+274.05 грн
500+259.88 грн
1000+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.73 грн
10+308.35 грн
25+283.31 грн
100+211.59 грн
250+193.98 грн
500+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+442.73 грн
46+308.35 грн
51+283.31 грн
100+211.59 грн
250+193.98 грн
500+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.67 грн
10+289.80 грн
50+228.43 грн
100+195.86 грн
500+180.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.22 грн
10+299.86 грн
50+295.97 грн
100+235.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+467.01 грн
48+300.38 грн
50+296.48 грн
100+235.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.43 грн
3000+205.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+210.30 грн
3000+208.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+247.33 грн
3000+227.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3G-DTE.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.78 грн
25+206.91 грн
50+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+274.05 грн
500+259.88 грн
1000+244.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+442.73 грн
10+308.35 грн
25+283.31 грн
100+211.59 грн
250+193.98 грн
500+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+442.73 грн
46+308.35 грн
51+283.31 грн
100+211.59 грн
250+193.98 грн
500+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.67 грн
10+289.80 грн
50+228.43 грн
100+195.86 грн
500+180.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+466.22 грн
10+299.86 грн
50+295.97 грн
100+235.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+467.01 грн
48+300.38 грн
50+296.48 грн
100+235.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.