Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB038N12N3GATMA1
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+172.65 грн
3000+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції IPB038N12N3GATMA1 за ціною від 178.57 грн до 519.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+213.88 грн
3000+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.84 грн
3000+214.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB038N12N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.64 грн
25+210.95 грн
50+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+255.03 грн
3000+234.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+282.58 грн
500+267.96 грн
1000+252.13 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.51 грн
10+317.95 грн
25+292.13 грн
100+218.18 грн
250+200.01 грн
500+178.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+456.51 грн
46+317.95 грн
51+292.13 грн
100+218.18 грн
250+200.01 грн
500+178.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.45 грн
10+295.46 грн
50+232.89 грн
100+199.68 грн
500+184.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.72 грн
10+309.19 грн
50+305.18 грн
100+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+481.54 грн
48+309.72 грн
50+305.71 грн
100+243.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipp_i_b041n12n3_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+519.39 грн
10+315.12 грн
100+239.49 грн
500+213.21 грн
1000+190.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+213.88 грн
3000+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+216.84 грн
3000+214.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3G-DTE.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.64 грн
25+210.95 грн
50+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+255.03 грн
3000+234.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+282.58 грн
500+267.96 грн
1000+252.13 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+456.51 грн
10+317.95 грн
25+292.13 грн
100+218.18 грн
250+200.01 грн
500+178.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+456.51 грн
46+317.95 грн
51+292.13 грн
100+218.18 грн
250+200.01 грн
500+178.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 38624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+458.45 грн
10+295.46 грн
50+232.89 грн
100+199.68 грн
500+184.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+480.72 грн
10+309.19 грн
50+305.18 грн
100+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+481.54 грн
48+309.72 грн
50+305.71 грн
100+243.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 infineon_ipp_i_b041n12n3_datasheet_en.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.39 грн
10+315.12 грн
100+239.49 грн
500+213.21 грн
1000+190.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.