Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB038N12N3GATMA1
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+163.56 грн
2000+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB038N12N3GATMA1 за ціною від 174.42 грн до 539.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.14 грн
10+279.85 грн
100+201.58 грн
500+174.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.31 грн
10+454.26 грн
25+449.35 грн
100+335.98 грн
250+307.97 грн
500+268.92 грн
1000+224.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.14 грн
10+279.85 грн
100+201.58 грн
500+174.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+539.31 грн
10+454.26 грн
25+449.35 грн
100+335.98 грн
250+307.97 грн
500+268.92 грн
1000+224.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.