Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB038N15NM6ATMA1
IPB038N15NM6ATMA1

IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb038n15nm6datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+235.49 грн
70+205.16 грн
74+192.12 грн
100+175.23 грн
250+161.66 грн
500+154.63 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB038N15NM6ATMA1 за ціною від 154.06 грн до 379.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb038n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.65 грн
10+208.37 грн
25+194.58 грн
100+177.33 грн
250+162.93 грн
500+155.28 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB038N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.77 грн
10+243.06 грн
100+173.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB038N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB038N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f40f26517a40 Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 IPB038N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB038N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f40f26517a40 Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 infineonipb038n15nm6datasheetv0100en.pdf
IPB038N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+239.65 грн
10+208.37 грн
25+194.58 грн
100+177.33 грн
250+162.93 грн
500+155.28 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 DS_IPB038N15NM6_en.pdf
IPB038N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.77 грн
10+243.06 грн
100+173.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 Infineon_IPB038N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IPB038N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 Infineon-IPB038N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f40f26517a40
IPB038N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1 Infineon-IPB038N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f40f26517a40
IPB038N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.