IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 206.61 грн |
| 70+ | 179.99 грн |
| 74+ | 168.55 грн |
| 100+ | 153.74 грн |
| 250+ | 141.83 грн |
| 500+ | 135.66 грн |
| 1000+ | 135.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB038N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB038N15NM6ATMA1 за ціною від 140.42 грн до 403.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB038N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB038N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB038N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB038N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB038N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |